AR# 43360

描述

MIG 设计助手部分将助您了解驱动用户接口的信息。

注：此答复记录是 Xilinx MIG 解决方案中心 (Xilinx 答复 34243)的一部分。Xilinx MIG 解决方案中心可解决所有与 MIG 相关的问题。无论您是要使用 MIG 来进行新设计还是要解决问题，请使用 MIG 解决方案中心来指导您获取相应的信息。

解决方案

从用户接口的角度来看，MCB 在物理 DRAM 中提供简单的顺序字节寻址机制。事实上，DRAM 在固定段中存储数据，这可通过机制进行抽象化，以实现类似 SRAM 的简单地址接口。MCB 会自动将用户接口字节地址转换成特定存储器设备配置所需的行、分组和列地址信号。

用于字节地址调整的地址要求

提供给用户接口的字节地址必须根据端口宽度进行调整。根据端口宽度字节数，必须将某个低位地址位数设置为 0，以确保连续地址落在数据字边界上。如欲了解更多详情，敬请参见下表：

用户接口的写入数据掩码输入 (pX_wr_mask) 可用于抵消起始地址字节位置；敬请参见 （Xilinx 答复 43358）。

字节地址到存储器地址的转换

存储器标准、总线宽度和密度都会影响用户接口字节地址位映射到相应行、分组和列地址位的方式。如果在 MIG 工具中选择存储器设备，则会将所需的参数传递到 MCB，使它可以创建正确的地址位分配。

MCB 支持下面两种通用机制，用于将用户接口字节地址映射到存储器接口物理地址： ROW_BANK_COLUMN 和 BANK_ROW_COLUMN。

如欲了解有关地址映射的更多详情，敬请参见 Spartan-6 FPGA 存储器控制器用户指南 (UG388) 下的“MCB 操作”->“字节地址到存储器地址的转换”： //m.akhomesold.com/support/documentation/user_guides/ug388.pdf

DDR2/DDR3 突发封装

DDR2 存储器实现 4n-prefetch 内部总线，这使得 SDRAM 内部阵列可由宽度是外部总线的四倍的总线访问。例如，16 位宽的 DDR2 存储器使用 64 位宽的内部总线访问核心阵列。预取架构获得这项 64 位提取，然后将其载入四个 16 位预取缓冲器中。在 DDR2 突发周期内，这四个寄存器可根据列地址来选择。

DDR3 存储器实现 8n-prefetch 内部总线，这使得 SDRAM 内部阵列可由宽度是外部总线的八倍的总线访问。例如，16 位宽的 DDR3 存储器使用 128 位宽的内部总线访问核心阵列。预取架构获得这项 128 位提取，然后将其载入八个 16 位预取缓冲器中。在 DDR3 突发周期内，这八个寄存器可根据列地址来选择。

MCB 始终从存储器的突发边界开始读取和写入。因此，BL=8 的写入的突发顺序将始终从列地址 0 开始，并依次计数到 7。对 BL=4 来说，起始列地址为 0（A3 = 0）或 4（A3 = 1）。如欲了解有关突发寻址的更多详情，敬请参见相关 JEDEC 规范。如果用户接口指定的突发地址超出存储器的突发边界，则 MCB 将对数据添加合适的掩码。

实例：:

32-bit 用户接口

x16-DDR3 SDRAM（因为 DDR3MCB 仅支持 BL8）

对于 32 位用户接口，pX_cmd_addr[1:0] 必须是 2'b00。由于用户接口使用字节地址，因此，该用户接口上的每两个地址就与 x16 DDR3 列地址空间中的一个地址相对应。

pX_cmd_addr[2:0] = 3'b100

pX_cmd_bl[5:0] = 5'b0_0000 (1 32-bit word burst)

pX_cmd_instr[2:0] = 3'b000

这就转换为 x16 DDR3 存储器中的以下写入：

链接问答记录

主要问答记录

相关答复记录